二极管哪边是进哪边是出

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金融界2023年12月30日消息，据国家知识产权局公告，扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“一种新型源区沟槽碳化硅二极管器件及其后面会介绍。 所述碳化硅外延层上设有覆盖P型主和若干P型分压环的场氧层；本发明在不增加单颗芯片面积和工艺复杂程度的基础上，进一步降低了器件的正后面会介绍。

∩▽∩ 金融界2023年12月30日消息，据国家知识产权局公告，扬州扬杰电子科技股份有限公司申请一项名为“一种碳化硅二极管器件及其制备方法“公还有呢？ 所述碳化硅衬底和碳化硅外延层的导电类型均为N型。本发明可以通过形成两层不同掺杂浓度的外延层，来降低器件外延层的导通电阻，进一步提还有呢？